게시판 > 질답게시판 > 냉각ㆍ가열속도에 따른 고분자의 유리전이온도(Tg) 질문입니다

스테파노 Stefano

16-05-16 16:52

(1) 냉각속도에 따른 Tg..
고분자를 서서히 가열, 냉각된 물질들은 상변화 온도가 거의 일정할 것이나 유리전이온도 이상에서 급속냉각하게 되면 서서히 냉각하는 것보다 더 높은 온도에서 부분적으로 상(결정구조)변화를 동반하게 되어 Tg가 높은 상태로 유지되지만 결정화도(Degree of Crystallization)는 떨어질 것으로 봅니다. 왜냐하면 고분자 물질이라서 분자내의 결정성을 유지하기 위한 운신의 폭이 떨어질 것으로 예상되기 때문입니다.

반대로 서서히 냉각하게 되면 결정성장이 보다더 규칙적으로 일어나고 안정화 에너지를 서서히 그리고 충분히 방출된 후의 온도가 아마도 Tg가 될 것으로 봅니다.

(2)그러나...측정과정에 "Hysterisis" 현상이 있는지도 알아봐야..
필자의 식견으로는 순수한 물질의 경우 가열할 때나 냉각할때나 상변화 온도는 거의 동일하지만 고분자와 같은 물질의 경우 Tg를 측정하기 위해 사용하는 방법을 달리하여 가열방식의 Tg를 측정하면 실제의 (Tg)true보다 높은 값으로 측정되고 냉각하면서 측정하면 (Tg)true보다 훨씬 낮은 온도로 측정되는 현상이 나타날 것으로 봅니다.

과연 그런지 전문서적을 찾아보도록 하세요.

이런종류의 현상을 "Hysterisis"라고 하는데 아마 고분자 물성측정시에도 이런 현상이 있어서 나타나는 결과일 수도 있습니다.