안녕하세요.

13.56MHz RF Plasma를 이용하여 wafer위에 SiO2를 증착하는데 궁금한 점이 있어 질문드립니다.

 

SiO2 증착을 시킬 때 챔버 내 양극과 음극 사이에 Wafer를 두고 증착을 시키게 되는데, 양극과 음극의 거리가 달라지면 증착 두께나 기타 특성들이 달라집니다. 그 이유가 무엇때문인지요?

챔버 내부는 진공이며 PECVD 공정입니다.

 

챔버의 부피는 변화가 없고 단지 전극을 둘러싸는 세라믹 소재의 두께가 변함으로해서 극과의 거리가 달라집니다.

 

말로 설명하기가 까다로워 간단히 그림을 그려 파일 첨부하오니 검토 부탁드립니다.

 

항상 감사합니다.