(1) 실리콘 표면증착
실리콘 증착의 한 방법으로 VPE (Vapor Phse Epitaxy)라고 하는 반응인데 SiH4를 고온(650℃)에서 Si를 유리시켜 증착시킬 경우에는 직접열분해하여 표면에 쌓이는 반응이고 (열분해 반응에 의한 Silicone 증착)
SiH4 --------------> Si + 2H2 ................(1)
(2) 인(P) 도핑
Silicone 단결정 사이에 미량의 인을 끼워넣어주는 반응으로 P-Doping이라고 합니다. (1)반응과 (2)반응 모두 열분해 증착반응인데 두반응이 한 솥에서 일어나는 반응이고 대부분의 (1)반응에 (2)반응이 약간 포함된 반응이고 (2)만을 위한 반응은 쓰이지 않습니다.
SiH4 ---------------> Si + 2H2..................(1)
PH3-----------------> P + 3/2H2...............(2)
-----------------------------------------------------------------
SiH4 + PH3 ------> (Si+P) + (7/2) H2
이들은 고온, 고진공 상태에서 열분해된 원자가 기지(Substrate) 표면에 서서히 규칙적으로 결정이 성장하는 반응으로 진행됩니다. 상세한 내용은 "반도체 제조공정"에서 찾아보도록 하세요.
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