안녕하세요. 저번에 NF3 및 SiH4 반응에 관해 질문드렸었는데 좀더 궁금한점이 생겨 다시 질문드립니다.

고온 Plasma를 통해 질소분위기에서 SiH4 0.2L, NF3 12L, N2 100L를 공급했을때 반응식이 아래와 같다면

 
1.    SiH4+ 4/3NF3-------->SiF4 + 4/3 NH3

2.    2NF3 --------------->N2  + 3F2

SiH4의 공급량이 0.2L로 소량이기 때문에 이에 반응하는 NF3 또한 공급되는 12L중 소량만 반응할테고 1번 반응에 참여하지 않고 남은 NF3는 2번 반응으로 넘어갈 것 같습니다.

1번과 2번 화학반응식의 발열량을 계산해보면 1번은 발열반응, 2번은 흡열반응으로 계산되어집니다.

 

그런데 SiH4를 빼고 NF3와 N2만 공급했을때 단순히 N2만 공급한 plasma 상태보다 온도가 더 상승하는 이유가 궁금합니다. 흡열반응이면 온도가 내려가야 정상이 아닌가요?

 

또, NF3와 N2가 공급되면서 여기에 SiH4을 소량 공급하면 온도가 훨씬 많이 올라가게 되는데 왜 그렇게 되는건가요? Plasma 이후 후단에 물을 스프레이 식으로 뿌려주는데 물과 반응하여 더 발열하게 되는건가요?

반응한 후 나오는 생성물이 물과 반응하여 발열하게 되는것인지.....

 

또 비활성 기체로 반응에 참여하지 않는 N2 또한 전체적인 발열량을 구하려면 같이 계산해주어야 하는것이 아닌지 궁금합니다. N2 자체도 Plasma를 통과하면서 분해가 될테고 이때 에너지가 생성될테니 이것도 같이 계산해 주어야 하지 않나 해서요.

 

화학반응식을 토대로 여러가지 생각을 해봤는데 도데체 정확히 알수가 없어서 다시 질문 올립니다. 궁금한점을 쭉 써놓고 보니 질문이 너무 많네요.