안녕하세요. 앞에 2192번에 질문드렸었는데 답변해주신것에 대해 모르는 부분이 있어 다시 질문 드립니다.

 

질문 중 NF3와 N2 공급 시 온도상승에 관해 제가 질문을 잘못드렸네요..저는 플라즈마 온도 상승이 아닌 플라즈마를 통과하고 난 후 바로 밑 Cooling 부분에서 온도가 상승하여 질문드린거였거든요...^^

 

답변 달아주신것중 SiH4 추가할 때 반응이 크게 올라간다고 하신것은 무슨 이유 때문입니까?

계산해보니 NF3만 들어갈때는 화학반응식이 2NF3 → N2 + 3F2  이런식으로 되어 발열반응인데 소량의 SiH4와 NF3가 반응하는 식은 SiH4 + 4/3NF3 → SiF4 + 4/3NH3 흡열반응입니다. 그렇다면 온도가 떨어져야 되는것이 아닌지요?

 

 마지막으로 N2의 현열을 구할 때 Q=m*Cp*(나중온도 - 처음온도)라는 식을 놓고 Q 값은 N2의 결합에너지(941KJ/mol)를 대입하고 cp값으로 6.926cal/mol ℃, m = 질소 분자량 으로 28g/mol, 초기온도 25℃로 두어 나중온도를 구하면 맞는건가요?

구해보면 N2가 22.4L일때와 50L일때, 100L일때 모두 나중온도가 똑같이 나와 버리네요....

 

Q값은 941KJ/mol로 mol당이니까 22.4L로 두고 50L로 22.4L : 941 = 50L : X 로 두어 환산하고 m값도 몰당이므로 똑같이 환산하였으며 Cp값은 그대로 썼습니다. 틀린 계산인거 같은데 어떻게 틀린건지 자문좀 부탁드립니다.

감사합니다.